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FDMC86260ET150_未分类
FDMC86260ET150
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33

未分类

+1:

¥9.463122

+200:

¥3.665516

+500:

¥3.539481

+1000:

¥3.476463

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Ta),25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.8W(Ta),65W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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FDMC86260ET150_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥14.494188

+6000:

¥13.94926

+9000:

¥13.487483

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Ta),25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.8W(Ta),65W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDMC86260ET150_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥32.147072

+10:

¥26.703503

+100:

¥21.251358

+500:

¥17.981502

+1000:

¥15.257002

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power33

FDMC86260ET150_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥32.147072

+10:

¥26.703503

+100:

¥21.251358

+500:

¥17.981502

+1000:

¥15.257002

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power33

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86260ET150_未分类
FDMC86260ET150
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33

未分类

+1:

¥32.665719

+10:

¥27.765861

+100:

¥22.702675

+250:

¥22.539346

+500:

¥19.272775

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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FDMC86260ET150_未分类
FDMC86260ET150
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

未分类

+3000:

¥13.342747

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FDMC86260ET150_未分类
FDMC86260ET150
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

未分类

+1:

¥26.399566

+10:

¥23.25639

+25:

¥22.919453

+100:

¥19.818393

+250:

¥19.609367

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMC86260ET150参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Ta),25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1330 pF 75 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.8W(Ta),65W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Power33
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)