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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.216608 +10：￥3.584141 +30：￥2.951674 +100：￥2.424598 +500：￥2.108304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册未分类	+1：￥3.71803 +10：￥3.255902 +30：￥3.192885 +100：￥3.077353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.423034	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.187939 +6000：￥1.111314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDY1002PZ ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.187939 +6000：￥1.111314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.906012 +6000：￥2.718568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.222459 +10：￥7.023931 +100：￥5.249832 +500：￥4.12461 +1000：￥3.187248	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.222459 +10：￥7.023931 +100：￥5.249832 +500：￥4.12461 +1000：￥3.187248	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F
	FDY1002PZ ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P 下载数据手册未分类	+1：￥13.936371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 446mW FET Type： 2 P-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 830mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 135pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 500mOhm @ 830mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.1nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-563F Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY1002PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F 下载数据手册未分类	+1：￥8.378305 +10：￥7.171262 +100：￥5.353595 +500：￥4.203353 +1000：￥3.251919	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDY1002PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	830mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 830mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	135pF 10V
功率 - 最大值:	446mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563F
温度:	-55°C # 150°C（TJ）