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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6333C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.120655 +200：￥2.78663 +800：￥2.045505 +3000：￥1.48225 +6000：￥1.408198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A，2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6333C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.163381 +50：￥1.715145 +150：￥1.523042 +500：￥1.283408 +3000：￥1.176757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A，2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6333C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.831565 +10：￥0.728303 +30：￥0.684047 +100：￥0.628864 +500：￥0.604278	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6333C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.200414 +50：￥1.70032 +1500：￥1.537789 +3000：￥1.400263 +18000：￥1.387761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A，2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6333C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.635145 +50：￥1.595902 +100：￥1.56974 +500：￥1.543578 +1000：￥1.517415	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A，2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6333C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDC6333C TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.599071 +9000：￥0.588652 +15000：￥0.573025 +45000：￥0.546978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6333C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6333C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.569088 +6000：￥0.544431 +42000：￥0.519658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6333C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.434298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A，2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6333C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6333C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.625118 +6000：￥0.599071 +18000：￥0.588652 +30000：￥0.573025 +60000：￥0.557397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6333C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.078596 +6000：￥1.023787 +9000：￥0.95063 +30000：￥0.928682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A，2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 282pF 15V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6333C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A，2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	95 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.6nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	282pF 15V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）