FDG326P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG326P ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥0.783125 +5000：￥0.772204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 467 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG326P ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.584254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 467 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDG326P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 467 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	FDG326P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 467 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG326P Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3206：￥1.04011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140mOhm 1.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 467 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SC-88 (SC-70-6) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG326P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 467 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDG326P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	467 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	750mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-88（SC-70-6）
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）