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搜索 FDS9934C 共 12 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9934C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.455457 +10：￥2.993329 +30：￥2.793774 +100：￥2.552207 +500：￥2.436675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9934C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS9934C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.626412 +150：￥1.563911 +4000：￥1.376196 +16000：￥1.351216 +28000：￥1.251087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9934C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS9934C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.563911 +50：￥1.501304 +200：￥1.438802 +4000：￥1.401175 +12000：￥1.351216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9934C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS9934C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.840769 +12000：￥0.81073 +32000：￥0.788174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9934C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.670656	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9934C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥4.614884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A，5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS9934C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.890582 +10：￥9.718661 +100：￥7.581976 +500：￥6.263033 +1000：￥4.944443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS9934C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.890582 +10：￥9.718661 +100：￥7.581976 +500：￥6.263033 +1000：￥4.944443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS9934C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 900mW FET Type： N and P-Channel Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.5A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active
	FDS9934C ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A, 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30mOhm 6.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDS9934C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A，5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）