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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN537N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.521207 +10：￥0.487581 +50：￥0.437141 +150：￥0.403515 +300：￥0.379977	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.842467 +3000：￥1.335114 +15000：￥1.201651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN537N UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDN537N UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+3000：￥0.225042 +6000：￥0.21254 +9000：￥0.200038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN537N JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDN537N JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.252941 +9000：￥0.248542 +15000：￥0.241944 +108000：￥0.230946	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+190：￥4.324607 +500：￥3.410063 +1000：￥2.730627 +3000：￥2.482389 +30000：￥2.168868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥5.782013 +100：￥4.440445 +500：￥3.501358 +1000：￥2.803761 +3000：￥2.548896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥6.654346 +100：￥5.099633 +500：￥4.029862 +1000：￥3.22146	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.911059 +5000：￥1.884432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.437044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDN537N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Ta），6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	465 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDN537N UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDN537N UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+3000：￥0.225042 +6000：￥0.21254 +9000：￥0.200038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN537N JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDN537N JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.252941 +9000：￥0.248542 +15000：￥0.241944 +108000：￥0.230946	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+190：￥4.324607 +500：￥3.410063 +1000：￥2.730627 +3000：￥2.482389 +30000：￥2.168868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥5.782013 +100：￥4.440445 +500：￥3.501358 +1000：￥2.803761 +3000：￥2.548896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥6.654346 +100：￥5.099633 +500：￥4.029862 +1000：￥3.22146	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDN537N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.911059 +5000：￥1.884432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）