FDFMA2P853T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDFMA2P853T 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFMA2P853T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.954561 +200：￥0.756386 +500：￥0.729832 +1000：￥0.716719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 435 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 7-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽），7 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFMA2P853T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 435 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 7-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽），7 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDFMA2P853T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 435 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 7-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽），7 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDFMA2P853T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： MicroFET 2x2 Thin
FDFMA2P853T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： MicroFET 2x2 Thin
FDFMA2P853T Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1110：￥3.408589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： MicroFET 2x2 Thin

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDFMA2P853T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： MicroFET-6 系列：产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 20 V Id-连续漏极电流： 3 A Rds On-漏源导通电阻： 120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.3 V Qg-栅极电荷： 6 nC Pd-功率耗散： 1.4 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 11 ns 高度： 0.75 mm 长度： 2 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 11 ns 晶体管类型： 1 P-Channel 典型关闭延迟时间： 15 ns 典型接通延迟时间： 9 ns 宽度： 2 mm 单位重量： 40 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FDFMA2P853T参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	435 pF 10 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	1.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	7-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽），7 引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）