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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY3000NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+10：￥34.713504 +100：￥28.276992 +200：￥22.679424 +500：￥20.249568 +800：￥18.795888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY3000NZ TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDY3000NZ 下载数据手册未分类	+5：￥0.65327 +50：￥0.576779 +150：￥0.538534 +500：￥0.452396 +2500：￥0.429448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDY3000NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F 下载数据手册未分类	+1：￥3.474872 +10：￥2.884799 +30：￥2.622545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY3000NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F 下载数据手册未分类	+10：￥57.168418 +100：￥56.215611 +1000：￥55.262804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDY3000NZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDY3000NZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.697426 +3000：￥0.617006 +9000：￥0.606256 +15000：￥0.590129 +21000：￥0.57938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDY3000NZ TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDY3000NZ TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+4000：￥0.415799 +12000：￥0.408527 +40000：￥0.397671 +60000：￥0.379649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDY3000NZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDY3000NZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.782091 +50：￥0.735671 +200：￥0.722358 +500：￥0.709162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY3000NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.041221 +6000：￥0.974053 +15000：￥0.906884 +30000：￥0.859859 +75000：￥0.839643	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDY3000NZ ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY3000NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.685562 +6000：￥1.599833 +9000：￥1.485568 +30000：￥1.4513 +75000：￥1.414292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDY3000NZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	700 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60pF 10V
功率 - 最大值:	446mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563F
温度:	-55°C # 150°C（TJ）