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自营 现货库存
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FDU5N50NZTU_未分类
FDU5N50NZTU
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V IPAK3

未分类
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￥1.59135

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￥1.504746

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装： DPAK3 (IPAK)

自营 国内现货
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FDU5N50NZTU_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDU5N50NZTU
ON(安森美)
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￥3.235131

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装： DPAK3 (IPAK)

Digi-Key
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FDU5N50NZTU
ON(安森美)
授权代理品牌
+5040：

￥7.913989

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装： DPAK3 (IPAK)

Mouser
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FDU5N50NZTU_晶体管
FDU5N50NZTU
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V IPAK3

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晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： IPAK-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 500 V

Id-连续漏极电流： 4 A

Rds On-漏源导通电阻： 1.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 12 nC

Pd-功率耗散： 62 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 21 ns

正向跨导 - 最小值： 3.54 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 22 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 28 ns

典型接通延迟时间： 12 ns

温度： - 55 C~+ 150 C

FDU5N50NZTU参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装: DPAK3 (IPAK)