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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.438 +10：￥8.0223 +30：￥6.6066 +100：￥5.89875 +500：￥5.42685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1270pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+15：￥8.720423 +100：￥6.795884 +500：￥5.629161 +1000：￥4.498526 +2500：￥4.137659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+2500：￥2.433549 +5000：￥2.391988 +10000：￥2.350427 +15000：￥2.308755 +20000：￥2.267195	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1270pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1270pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1270pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS8978 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8978 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥16.126441 +10：￥14.318325 +100：￥11.125617 +500：￥9.203476 +1000：￥7.509385	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8978 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥12.298817 +10：￥10.958248 +25：￥10.874069 +100：￥8.566079 +250：￥8.498232	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS8978参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1270pF 15V
功率 - 最大值:	1.6W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）