品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 个 P 沟道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455pF 6V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 个 P 沟道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455pF 6V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SSOT-6

系列： FDC6318P

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 12 V

Id-连续漏极电流： 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 69 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 8 nC

Pd-功率耗散： 960 mW

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 14 ns

正向跨导 - 最小值： 8 S

高度： 1.1 mm

长度： 2.9 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 14 ns

晶体管类型： 2 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 21 ns

典型接通延迟时间： 9 ns

宽度： 1.6 mm

零件号别名： FDC6318P_NL

单位重量： 36 mg

温度： - 55 C~+ 150 C