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	FDMC86340ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.026925 +6000：￥11.538662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2775 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC86340ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥20.782487 +6000：￥19.93877	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2775 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMC86340ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.740266 +10：￥35.849488 +100：￥28.998586 +500：￥25.776742 +1000：￥22.071298	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33
FDMC86340ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.740266 +10：￥35.849488 +100：￥28.998586 +500：￥25.776742 +1000：￥22.071298	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340ET80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥54.182565 +10：￥45.468995 +25：￥42.934138 +100：￥36.755424 +250：￥34.695853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340ET80 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥37.753525 +10：￥34.331469 +25：￥26.013969	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340ET80 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R 下载数据手册未分类	+4：￥22.611933 +10：￥20.561393 +25：￥15.579747	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86340ET80 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥22.426806 +10：￥20.393994 +25：￥15.453134	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC86340ET80参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta），68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	49 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2775 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），65W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power33
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）