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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH35N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥37.109009 +200：￥14.36936 +450：￥13.855778 +900：￥13.615378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 98 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 181 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH35N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 98 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 181 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH35N60 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 98 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 181 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH35N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 98 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 181 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH35N60 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 下载数据手册未分类	+76：￥54.685127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： SuperMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 98mOhm 17.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 181 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH35N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥107.509608 +10：￥97.247329 +100：￥80.469313 +450：￥68.903886 +900：￥63.365512	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH35N60 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥46.374717	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH35N60参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperMOS™
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	98 毫欧 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	181 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6640 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	312.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）