FDMA86551L厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86551L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.565561 +10：￥12.971321 +30：￥10.37696 +100：￥8.647507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1235 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86551L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6-MLP 下载数据手册未分类	+1：￥4.327199 +200：￥1.680466 +500：￥1.617448 +1000：￥1.585939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1235 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86551L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.86428 +6000：￥2.721019 +15000：￥2.618729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1235 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMA86551L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.006788 +6000：￥6.656333 +15000：￥6.406104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1235 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA86551L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.545115 +10：￥14.767541 +100：￥11.510477 +500：￥9.509203 +1000：￥7.507244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
FDMA86551L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6-MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.545115 +10：￥14.767541 +100：￥11.510477 +500：￥9.509203 +1000：￥7.507244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86551L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6-MLP 下载数据手册未分类	+1：￥18.433759 +10：￥16.493364 +100：￥12.855122 +500：￥10.607498 +1000：￥9.216879	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86551L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 6-Pin MLP EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥15.416885 +10：￥13.837627 +25：￥13.569865 +100：￥10.53157 +250：￥10.425011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMA86551L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1235 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
封装/外壳:	6-WDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）