FDBL86210-F085厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL86210-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8 下载数据手册未分类	+1：￥54.242968 +200：￥20.991286 +500：￥20.259159 +1000：￥19.887631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.3 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5805 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL86210-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥16.478767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.3 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5805 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDBL86210-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥40.31143	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 169A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.3 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5805 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDBL86210-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.86801 +10：￥69.523404 +100：￥56.248805 +500：￥49.998557 +1000：￥42.81133	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF
FDBL86210-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.86801 +10：￥69.523404 +100：￥56.248805 +500：￥49.998557 +1000：￥42.81133	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL86210-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8 下载数据手册未分类	+1：￥94.567258 +10：￥79.377698 +25：￥74.967825 +100：￥64.188139 +250：￥60.594909	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL86210-F085 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 169A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥45.034002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL86210-F085 onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 150V, 169A, 500W 下载数据手册未分类	+1：￥55.723674 +10：￥46.791671 +100：￥37.859667 +500：￥28.83612 +2000：￥28.639955	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL86210-F085 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 150V, 169A, 500W 下载数据手册未分类	+1：￥58.497221 +10：￥49.128522 +100：￥39.735775 +500：￥30.258844 +2000：￥30.054388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDBL86210-F085参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.3 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	90 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5805 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tj）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HPSOF
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）