FDMA2002NZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDMA2002NZ 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA2002NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+10：￥11.255904 +200：￥7.611989 +800：￥5.587538 +3000：￥4.048902 +6000：￥3.846469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 123 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220pF 15V 功率 - 最大值： 650mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA2002NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.385544 +10：￥1.133474 +30：￥1.025399 +100：￥0.890542 +500：￥0.830465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 123 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220pF 15V 功率 - 最大值： 650mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA2002NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.151262 +6000：￥2.048813 +9000：￥1.954253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 123 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220pF 15V 功率 - 最大值： 650mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA2002NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.262556 +6000：￥5.011938 +9000：￥4.78062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 123 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220pF 15V 功率 - 最大值： 650mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA2002NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.723918 +10：￥10.407881 +100：￥8.09613 +500：￥6.862625 +1000：￥5.590233	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
	FDMA2002NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.723918 +10：￥10.407881 +100：￥8.09613 +500：￥6.862625 +1000：￥5.590233	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA2002NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥13.465226 +10：￥12.160782 +100：￥9.481763 +500：￥7.826663 +1000：￥6.25572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA2002NZ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥4.025479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMA2002NZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	123 毫欧 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	220pF 15V
功率 - 最大值:	650mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）