FQD10N20LTM厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD10N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.985801 +10：￥20.65712 +30：￥17.214307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD10N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥16.161432 +10：￥14.052469 +30：￥12.741197 +100：￥11.386215 +500：￥10.774288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD10N20LTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD10N20LTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.760117 +20：￥2.714955 +50：￥2.601832 +2500：￥2.556669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD10N20LTM JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQD10N20LTM JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.493074 +2500：￥1.465954 +7500：￥1.425222 +17500：￥1.384489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD10N20LTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD10N20LTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.714738 +2500：￥2.601615 +5000：￥2.488493 +7500：￥2.307517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD10N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.761735 +5000：￥2.623666 +12500：￥2.524995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD10N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.755935 +5000：￥6.418182 +12500：￥6.176806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD10N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.874307 +10：￥14.230183 +100：￥11.099259 +500：￥9.16883 +1000：￥7.238542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)
FQD10N20LTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.874307 +10：￥14.230183 +100：￥11.099259 +500：￥9.16883 +1000：￥7.238542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)
FQD10N20LTM ON Semiconductor 授权代理品牌	FQD10N2POWFIELD-EFFETRANSISTO7.6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR)

FQD10N20LTM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	830 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），51W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）