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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86200DC_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥61.59384

+10：

￥41.06256

+30：

￥34.2188

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A (Ta), 28A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17mOhm 9.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2955 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W (Ta), 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86200DC_未分类
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56

未分类
+1：

￥21.351886

+10：

￥20.794595

+30：

￥20.423068

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A (Ta), 28A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17mOhm 9.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2955 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W (Ta), 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86200DC_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥32.394978

+6000：

￥31.585104

+9000：

￥30.775229

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A (Ta), 28A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17mOhm 9.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2955 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W (Ta), 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86200DC_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥12.837642

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A (Ta), 28A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17mOhm 9.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2955 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W (Ta), 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86200DC_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥31.404274

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A (Ta), 28A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17mOhm 9.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2955 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W (Ta), 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDMS86200DC_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥68.3849

+10：

￥47.609353

+100：

￥35.263354

+500：

￥31.404427

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Dual Cool™56

FDMS86200DC_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥68.3849

+10：

￥47.609353

+100：

￥35.263354

+500：

￥31.404427

库存： 0

货期：7~10 天

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Dual Cool™56

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86200DC_未分类
FDMS86200DC
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56

下载数据手册

未分类
+1：

￥85.567729

+10：

￥58.205956

+100：

￥41.788891

+500：

￥34.658247

+1000：

￥34.16076

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
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FDMS86200DC_未分类
FDMS86200DC
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R

下载数据手册

未分类
+3000：

￥42.09947

+6000：

￥41.882781

+9000：

￥41.666093

+12000：

￥41.449404

+15000：

￥41.232715

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
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FDMS86200DC_未分类
FDMS86200DC
onsemi(安森美)
授权代理品牌

MOSFET, N-CH, 150V, 40A, DUAL COOL 56-8

未分类
+1：

￥50.007895

+10：

￥36.538936

+100：

￥26.136794

+500：

￥24.947619

+3000：

￥23.758446

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDMS86200DC参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: Dual Cool™, PowerTrench®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.3A (Ta), 28A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17mOhm 9.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2955 pF 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.2W (Ta), 125W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C (TJ)