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	FDB0630N1507L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥59.80357 +10：￥52.84014 +30：￥48.596965 +100：￥42.862376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9895 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB0630N1507L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥22.946987 +1600：￥19.352835 +2400：￥18.385232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9895 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB0630N1507L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥56.134412 +1600：￥47.342163 +2400：￥44.975149	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9895 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDB0630N1507L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.582468 +10：￥80.48849 +100：￥65.94084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： TO-263-7
FDB0630N1507L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.582468 +10：￥80.48849 +100：￥65.94084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： TO-263-7

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB0630N1507L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥111.372569 +10：￥100.626093 +100：￥83.366602 +500：￥65.944284 +800：￥61.222348	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

FDB0630N1507L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.4 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	135 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9895 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）