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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.872818 +30：￥3.739273 +100：￥3.472181 +500：￥3.2051 +1000：￥3.071555	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥6.937898 +200：￥4.691775 +800：￥3.444023 +2500：￥2.495625 +5000：￥2.370874	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.021235 +10：￥3.212617 +30：￥2.819236 +100：￥2.414927 +500：￥2.185454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.931346	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.600148 +5000：￥1.489809 +12500：￥1.434639 +25000：￥1.384688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.914386 +5000：￥3.644467 +12500：￥3.509507 +25000：￥3.387314	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635pF 15V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.159747 +10：￥8.910372 +100：￥6.830371 +500：￥5.399219 +1000：￥4.319403	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.159747 +10：￥8.910372 +100：￥6.830371 +500：￥5.399219 +1000：￥4.319403	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥12.01455 +10：￥10.537085 +100：￥8.085467 +500：￥6.396938 +1000：￥5.114303	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOIC-8 系列： FDS8984 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 30 V Id-连续漏极电流： 7 A Rds On-漏源导通电阻： 19 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V Qg-栅极电荷： 13 nC Pd-功率耗散： 1.6 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Dual 下降时间： 9 ns 高度： 1.75 mm 长度： 4.9 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 9 ns 晶体管类型： 2 N-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 42 ns 典型接通延迟时间： 5 ns 宽度： 3.9 mm 单位重量： 187 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8984 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.130068 +10：￥8.884556 +100：￥6.817392 +500：￥5.393557 +1000：￥4.312652	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS8984参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	635pF 15V
功率 - 最大值:	1.6W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）