品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）

封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）

封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）

封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1570 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WLCSP（1x1.5）

封装/外壳： 6-UFBGA，WLCSP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 6-UFBGA, WLCSP

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 64mOhm @ 2A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.9W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： 6-WLCSP (1.0x1.5)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 25 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1570 pF @ 10 V

Packaging： Bulk

Package / Case： 6-UFBGA, WLCSP

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 64mOhm @ 2A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.9W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： 6-WLCSP (1.0x1.5)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 25 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1570 pF @ 10 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： WLCSP-6

系列： FDZ197PZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 3.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 68 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： -

Pd-功率耗散： 1.9 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 280 ns

正向跨导 - 最小值： 21 S

高度： 0.6 mm

长度： 1.5 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 5.9 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

类型： Power Trench MOSFET

典型关闭延迟时间： 311 ns

典型接通延迟时间： 5.8 ns

宽度： 1 mm

单位重量： 54 mg

温度： - 55 C~+ 150 C