FDPC8012S厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDPC8012S 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8012S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥48.803777 +10：￥32.535811 +30：￥27.113196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，26A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 13V 功率 - 最大值： 800mW，900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Powerclip-33 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8012S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥24.93115 +10：￥24.358264 +30：￥23.97634 +100：￥23.594416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，26A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 13V 功率 - 最大值： 800mW，900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Powerclip-33 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8012S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥12.484445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，26A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 13V 功率 - 最大值： 800mW，900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Powerclip-33 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8012S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥30.540258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，26A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 12A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 13V 功率 - 最大值： 800mW，900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Powerclip-33 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDPC8012S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥50.861468 +10：￥45.690317 +100：￥37.433474 +500：￥31.866481 +1000：￥30.540258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Powerclip-33
	FDPC8012S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥33.057602 +10：￥32.165938 +30：￥31.571495 +100：￥30.977053	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Powerclip-33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8012S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP 下载数据手册未分类	+1：￥51.756964 +10：￥47.549081 +25：￥46.146453 +100：￥38.993051 +500：￥33.242278	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8012S 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥22.159362	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDPC8012S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A，26A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 12A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1075pF 13V
功率 - 最大值:	800mW，900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerWDFN
供应商器件封装:	Powerclip-33
温度:	-55°C # 150°C（TJ）