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自营 现货库存
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FDS6911_未分类
FDS6911
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

未分类

+1:

¥4.600275

+200:

¥1.785495

+500:

¥1.722477

+1000:

¥1.690969

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDS6911_未分类
FDS6911
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

未分类

+5:

¥14.704974

+625:

¥13.5311

+1250:

¥13.126999

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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FDS6911_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDS6911_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDS6911_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FDS6911_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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FDS6911_未分类
FDS6911
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

未分类

+1:

¥20.164734

+10:

¥19.028692

+100:

¥15.052547

+500:

¥13.533093

+1000:

¥11.971036

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

艾睿
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FDS6911_未分类
FDS6911
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

未分类

+1:

¥10.958355

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDS6911参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 15V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)