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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD18N20V2TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQD18N20V2TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 200V 30A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD18N20V2TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.994414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD18N20V2TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.251681 +5000：￥3.096836 +12500：￥2.953906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD18N20V2TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.954471 +5000：￥7.575679 +12500：￥7.226037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD18N20V2TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.289626 +10：￥15.731763 +100：￥12.238196 +500：￥10.372962 +1000：￥8.449857	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
FQD18N20V2TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.289626 +10：￥15.731763 +100：￥12.238196 +500：￥10.372962 +1000：￥8.449857	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD18N20V2TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥18.795212 +10：￥16.831533 +100：￥13.170675 +500：￥10.884391 +1000：￥8.696292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD18N20V2TM 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥7.200363 +5000：￥6.977628 +10000：￥6.88625 +15000：￥6.816288 +20000：￥6.749181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQD18N20V2TM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1080 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）