品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 32.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 310W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-3PN

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 32.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 310W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-3PN

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 32.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 310W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-3PN

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 32.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 200 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7900 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 310W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-3PN

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 65A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 32.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 310W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-3PN

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 200 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7900 pF @ 25 V

Packaging： Tube

Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 65A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 32.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 310W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-3PN

Grade： -

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 200 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7900 pF @ 25 V

Qualification： -

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN-3

系列： FQA65N20

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 200 V

Id-连续漏极电流： 65 A

Rds On-漏源导通电阻： 32 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 200 nC

Pd-功率耗散： 310 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 275 ns

正向跨导 - 最小值： 58 S

高度： 20.1 mm

长度： 16.2 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 640 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 340 ns

典型接通延迟时间： 120 ns

宽度： 5 mm

零件号别名： FQA65N20_NL

单位重量： 4.600 g

温度： - 55 C~+ 150 C