FCH067N65S3-F155厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	FCH067N65S3-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥55.532386 +10：￥49.063442 +30：￥45.118698 +90：￥37.677227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FCH067N65S3-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.37276 +10：￥50.946327 +100：￥42.178033 +500：￥36.728185 +1000：￥31.989101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH067N65S3-F155 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.37276 +10：￥50.946327 +100：￥42.178033 +500：￥36.728185 +1000：￥31.989101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	FCH067N65S3-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥137.902709 +10：￥124.628215 +100：￥103.178643 +500：￥89.846872 +1000：￥78.253816	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3090 pF 400 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH067N65S3-F155 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 67mOhm @ 22A, 10V FET Feature： Super Junction Power Dissipation (Max)： 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package： TO-247-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3090 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH067N65S3-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥127.069648 +10：￥122.496447 +25：￥103.876987 +100：￥98.650472 +250：￥98.160487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH067N65S3-F155 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥60.746533	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH067N65S3-F155参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	67 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	78 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3090 pF 400 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	312W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）