品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PF-3

系列： FQAF13N80

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 800 V

Id-连续漏极电流： 8 A

Rds On-漏源导通电阻： 750 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 88 nC

Pd-功率耗散： 120 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 110 ns

正向跨导 - 最小值： 10.5 S

高度： 26.7 mm

长度： 15.7 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 150 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 155 ns

典型接通延迟时间： 60 ns

宽度： 5.7 mm

零件号别名： FQAF13N80_NL

单位重量： 7 g

温度： - 55 C~+ 150 C