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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB290N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥38.376572 +10：￥33.874537 +30：￥31.197356 +100：￥28.487393 +500：￥27.241684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3205 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 212W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB290N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3205 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 212W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB290N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥22.671685 +1600：￥19.412657 +2400：￥18.279026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3205 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 212W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCB290N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥55.460948 +1600：￥47.488501 +2400：￥44.71534	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3205 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 212W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCB290N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.803939 +10：￥77.123835 +100：￥62.393994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FCB290N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.803939 +10：￥77.123835 +100：￥62.393994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB290N80 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥104.620321 +10：￥88.212476 +25：￥85.450758 +100：￥71.479723 +250：￥69.205368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB290N80 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥39.882993	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB290N80 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+2：￥60.648186 +10：￥50.826772 +25：￥47.597551 +100：￥40.527663 +250：￥37.871678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCB290N80 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥60.151651 +10：￥50.410646 +25：￥47.207865 +100：￥40.195859 +250：￥37.561619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCB290N80参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	290 毫欧 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	75 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3205 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	212W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）