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FQA13N80-F109_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQA13N80-F109
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国内：1~2 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

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系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

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系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

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系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

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系列： QFET®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3

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Mouser
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FQA13N80-F109_未分类
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MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN-3

系列： FQA13N80_F109

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 800 V

Id-连续漏极电流： 12.6 A

Rds On-漏源导通电阻： 750 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 88 nC

Pd-功率耗散： 300 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 110 ns

高度： 20.1 mm

长度： 16.2 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 150 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 155 ns

典型接通延迟时间： 60 ns

宽度： 5 mm

零件号别名： FQA13N80_F109

单位重量： 4.600 g

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FQA13N80-F109
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Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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￥27.985915

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￥25.316291

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FQA13N80-F109参数规格

属性 参数值
系列: QFET®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装: TO-3PN