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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥37.196427 +10：￥32.639755 +30：￥29.929793 +100：￥27.197975 +500：￥25.930412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4895 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.457536 +50：￥19.101792	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4895 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥79.399734 +50：￥46.728045	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： FRFET®, SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4895 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP110N65F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 下载数据手册未分类	+800：￥50.577995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP110N65F 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥29.352968 +1000：￥25.948231 +2500：￥25.04546 +5000：￥24.220069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCP110N65F参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	FRFET®, SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	145 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4895 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	357W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）