品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 26A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 113 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8295 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），250W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-263-7

封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 26A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 113 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8295 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），250W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-263-7

封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 26A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 113 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8295 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），250W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-263-7

封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-263-7

系列： FDB0300N1007L

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 200 A

Rds On-漏源导通电阻： 11 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 81 nC

Pd-功率耗散： 3.8 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 18 ns

正向跨导 - 最小值： 85 S

高度： 4.7 mm

长度： 10.2 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 29 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 52 ns

典型接通延迟时间： 28 ns

宽度： 9.4 mm

单位重量： 1.600 g

温度： - 55 C~+ 175 C