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FDB0300N1007L
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

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¥28.941353

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¥11.203104

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¥10.810571

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¥10.619609

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 26A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 113 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8295 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263-7

封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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FDB0300N1007L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥22.028312

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¥21.11146

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 26A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 113 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8295 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263-7

封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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FDB0300N1007L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥53.887088

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 26A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 113 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8295 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263-7

封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDB0300N1007L_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥85.996969

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¥77.255596

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¥63.300569

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

供应商器件封装: TO-263-7

FDB0300N1007L_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥80.992775

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¥31.356836

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¥30.250513

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¥29.705607

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

供应商器件封装: TO-263-7

Mouser
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FDB0300N1007L_晶体管
FDB0300N1007L
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: TO-263-7

系列: FDB0300N1007L

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 200 A

Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 81 nC

Pd-功率耗散: 3.8 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 18 ns

正向跨导 - 最小值: 85 S

高度: 4.7 mm

长度: 10.2 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 29 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 52 ns

典型接通延迟时间: 28 ns

宽度: 9.4 mm

单位重量: 1.600 g

温度: - 55 C~+ 175 C

FDB0300N1007L参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 113 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8295 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),250W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
温度: -55°C # 175°C(TJ)