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FQI4N90TU_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQI4N90TU
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件封装: I2PAK (TO-262)

自营 国内现货
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件封装: I2PAK (TO-262)

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

晶体管-FET,MOSFET-单个

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件封装: I2PAK (TO-262)

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货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件封装: I2PAK (TO-262)

Mouser
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FQI4N90TU_晶体管
FQI4N90TU
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MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-262-3

系列: FQI4N90

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 4.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 30 nC

Pd-功率耗散: 3.13 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 40 ns

正向跨导 - 最小值: 3.5 S

高度: 7.88 mm

长度: 10.29 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 70 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

宽度: 4.83 mm

零件号别名: FQI4N90TU_NL

单位重量: 2.387 g

温度: - 55 C~+ 150 C

FQI4N90TU参数规格

属性 参数值
系列: QFET®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装: I2PAK (TO-262)