品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），72A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5875 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），113W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-Dual Cool™88

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），72A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5875 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），113W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-Dual Cool™88

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），72A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5875 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），113W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-Dual Cool™88

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），72A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5875 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），113W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-Dual Cool™88

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），72A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5875 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），113W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-Dual Cool™88

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Dual Cool™, PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），72A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5875 pF 75 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），113W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-Dual Cool™88

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13A (Ta), 72A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9mOhm @ 13A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 113W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-Dual Cool™88

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 83 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5875 pF @ 75 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-33-8

系列： FDMT800152DC

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 72 A

Rds On-漏源导通电阻： 19 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 59 nC

Pd-功率耗散： 113 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 7.9 ns

正向跨导 - 最小值： 41 S

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 13 ns

晶体管类型： 1 N-channel

典型关闭延迟时间： 36 ns

典型接通延迟时间： 24 ns

宽度： 3.3 mm

单位重量： 248.520 mg

温度： - 55 C~+ 150 C