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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.466467 +10：￥19.723722 +30：￥14.904796 +100：￥13.145506 +500：￥12.347815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥49.702521 +10：￥42.101004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册未分类	+10：￥32.089365 +100：￥29.354476 +500：￥27.713543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥50.894107 +60：￥49.367493 +120：￥47.886773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.10632 +10：￥29.732022 +100：￥24.359673 +500：￥20.736866 +1000：￥17.488892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.986831 +10：￥72.732405 +100：￥59.590213 +500：￥50.727868 +1000：￥42.782462	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥99.174319 +10：￥89.612057 +30：￥85.377341 +120：￥74.03923 +510：￥64.476968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-247-3 系列： FCH104N60F 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 650 V Id-连续漏极电流： 37 A Rds On-漏源导通电阻： 104 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 5 V Qg-栅极电荷： 139 nC Pd-功率耗散： 357 W 通道模式： Enhancement 商标名： SuperFET II FRFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 20 ns 正向跨导 - 最小值： 47 S 高度： 20.82 mm 长度： 15.87 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 58 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 206 ns 典型接通延迟时间： 78 ns 宽度： 4.82 mm 单位重量： 6 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH104N60F 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥38.690205 +500：￥38.303303 +1000：￥37.916401 +2000：￥37.542395 +2500：￥37.168391	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH104N60F参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	104 毫欧 18.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	139 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5950 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	357W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥49.702521 +10：￥42.101004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册未分类	+10：￥32.089365 +100：￥29.354476 +500：￥27.713543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCH104N60F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥50.894107 +60：￥49.367493 +120：￥47.886773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 104 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 357W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）