品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-251-3

系列： FQU2N50B

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 500 V

Id-连续漏极电流： 1.6 A

Rds On-漏源导通电阻： 5.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3.6 V

Qg-栅极电荷： 8 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 20 ns

高度： 6.3 mm

长度： 6.8 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 25 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 10 ns

典型接通延迟时间： 6 ns

宽度： 2.5 mm

零件号别名： FQU2N50BTU_WS

单位重量： 340 mg

温度： - 55 C~+ 150 C