FDMS8050ET30厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDMS8050ET30 共 18 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8050ET30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥21.668776 +10：￥18.926032 +30：￥17.286941 +100：￥15.647851 +500：￥14.882942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS8050ET30 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥16.503156 +300：￥16.427445 +500：￥16.351734 +1000：￥16.276023 +5000：￥16.04889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS8050ET30 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.14094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS8050ET30 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.767085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS8050ET30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥19.864845 +1000：￥19.368224 +2000：￥19.037144 +4000：￥18.871603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8050ET30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥12.078548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS8050ET30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥29.547327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS8050ET30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.60111 +10：￥36.976801 +100：￥36.165974	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS8050ET30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.60111 +10：￥36.976801 +100：￥36.165974	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS8050ET30 ON Semiconductor 授权代理品牌	N-Channel PowerTrench MOSFET 30V 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 55A (Ta), 423A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 0.65mOhm @ 55A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 750µA Supplier Device Package： Power56 Part Status： Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 22610 pF @ 15 V

FDMS8050ET30参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	55A（Ta），423A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.65 毫欧 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	285 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	22610 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS8050ET30 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥16.503156 +300：￥16.427445 +500：￥16.351734 +1000：￥16.276023 +5000：￥16.04889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS8050ET30 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.14094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS8050ET30 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.767085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS8050ET30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥19.864845 +1000：￥19.368224 +2000：￥19.037144 +4000：￥18.871603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta），423A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.65 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 22610 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）