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FDMS8050ET30_未分类
FDMS8050ET30
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MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

未分类

+1:

¥21.668776

+10:

¥18.926032

+30:

¥17.286941

+100:

¥15.647851

+500:

¥14.882942

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8050ET30_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMS8050ET30
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MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+100:

¥16.503156

+300:

¥16.427445

+500:

¥16.351734

+1000:

¥16.276023

+5000:

¥16.04889

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDMS8050ET30_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMS8050ET30
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MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥12.14094

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥15.767085

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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+500:

¥19.864845

+1000:

¥19.368224

+2000:

¥19.037144

+4000:

¥18.871603

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

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+3000:

¥12.078548

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

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+3000:

¥29.547327

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDMS8050ET30_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥43.60111

+10:

¥36.976801

+100:

¥36.165974

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS8050ET30_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥43.60111

+10:

¥36.976801

+100:

¥36.165974

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS8050ET30_未分类
FDMS8050ET30
授权代理品牌

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA

Supplier Device Package: Power56

Part Status: Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V

FDMS8050ET30参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55A(Ta),423A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.65 毫欧 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 285 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22610 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),180W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)