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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB0105N407L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.955879 +10：￥64.13 +30：￥51.304 +100：￥42.753293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 291 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23100 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB0105N407L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥36.4643 +10：￥34.70501 +30：￥29.864229 +100：￥28.957266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 291 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23100 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB0105N407L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥23.594979 +1600：￥20.203184 +2400：￥19.023446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 291 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23100 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB0105N407L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥57.71957 +1600：￥49.42234 +2400：￥46.536389	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 460A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 291 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23100 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB0105N407L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： TO-263-7
FDB0105N407L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： TO-263-7

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB0105N407L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥76.111126 +10：￥69.414654 +25：￥68.271353 +100：￥61.574881 +250：￥60.43158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB0105N407L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥39.941188 +1600：￥39.54139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDB0105N407L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	460A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.8 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	291 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23100 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）