FDMC86248厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86248 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥23.756898 +200：￥16.065775 +800：￥11.793023 +3000：￥8.545625 +6000：￥8.118374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 525 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86248 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥12.204381 +10：￥10.565927 +30：￥9.536642 +100：￥8.486351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 525 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86248 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.58363 +6000：￥5.376829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 525 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC86248 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥13.659037 +6000：￥13.153147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 525 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC86248 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.175924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power33
FDMC86248 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.175924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86248 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥30.389106 +10：￥27.406998 +25：￥25.844941 +100：￥22.010801 +500：￥18.176661	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86248 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 150V 3.4A 8-Pin Power 33 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥11.392976 +6000：￥11.231767 +9000：￥10.860341	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC86248参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	525 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），36W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power33
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）