Packaging： Bulk

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13.5A (Ta), 28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8mOhm @ 13A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 27W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1350 pF @ 15 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13.5A (Ta), 28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8mOhm @ 13A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 27W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6)

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1350 pF @ 15 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13.5A (Ta), 28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8mOhm @ 13A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 27W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6)

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1350 pF @ 15 V

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列： FDMS7692A

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 13.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 6.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 15 nC

Pd-功率耗散： 27 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 2.3 ns

高度： 1.1 mm

长度： 6 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 2.7 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： Power Trench MOSFET

典型关闭延迟时间： 17 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

宽度： 5 mm

单位重量： 68.100 mg

温度： - 55 C~+ 150 C