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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDP2552_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥14.104409

+10:

¥12.683402

+100:

¥10.194794

+500:

¥8.376118

+1000:

¥6.940214

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

Digi-Key
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FDP2552_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥34.50312

+10:

¥31.026964

+100:

¥24.939167

+500:

¥20.490203

+1000:

¥16.977604

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

Mouser
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FDP2552_未分类
FDP2552
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3

未分类

+1:

¥34.593034

+10:

¥28.746324

+100:

¥22.899615

+250:

¥21.11312

+500:

¥19.164217

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-220-3

系列: FDP2552

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 37 A

Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 51 nC

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 29 ns

高度: 16.3 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 29 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 36 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

宽度: 4.7 mm

零件号别名: FDP2552_NL

单位重量: 2 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDP2552_未分类
FDP2552
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

未分类

+800:

¥15.462411

+1000:

¥13.648182

+2500:

¥13.094113

+5000:

¥12.921988

+10000:

¥12.749862

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDP2552参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3