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FCPF380N60-F152
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F

+1:

¥15.818019

+200:

¥6.121393

+500:

¥5.909213

+1000:

¥5.803123

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: SuperFET® II

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1665 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FCPF380N60-F152_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥24.619823

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¥9.52759

+500:

¥9.197345

+1000:

¥9.032221

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: SuperFET® II

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1665 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FCPF380N60-F152_未分类
FCPF380N60-F152
授权代理品牌

600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220

未分类

+339:

¥11.79349

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3 Full Pack

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 31W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220F-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V

Mouser
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FCPF380N60-F152_晶体管
FCPF380N60-F152
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-220-3

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 10.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 30 nC

Pd-功率耗散: 31 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 45 ns

正向跨导 - 最小值: 11 S

高度: 16.3 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 14 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 6 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

宽度: 4.7 mm

零件号别名: FCPF380N60_F152

单位重量: 2 g

温度: - 55 C~+ 150 C

FCPF380N60-F152参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列: SuperFET® II
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1665 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 31W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)