FQPF8N80C厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FQPF8N80C 共 22 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.50115 +30：￥14.977463 +100：￥13.930088 +500：￥12.882713 +1000：￥12.359025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF8N80C 长工微(Innovisionsemi) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FQPF8N80C TO-220F 下载数据手册未分类	+1：￥30.142431 +30：￥27.1282 +100：￥22.606793 +500：￥19.592562 +1000：￥15.071276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.525976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	+100：￥14.752773 +500：￥13.778631 +1000：￥13.540045 +3000：￥13.244735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF8N80C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	+295：￥10.115619 +1471：￥9.917311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF8N80C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF8N80C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.569985 +1000：￥6.186811 +3000：￥5.913033 +5000：￥5.748766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	+10：￥21.994113 +100：￥17.683395	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF8N80C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF8N80C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥7.604207 +20：￥7.299983 +80：￥6.995875 +1000：￥6.813318 +3000：￥6.569985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQPF8N80C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.55 欧姆 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2050 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	59W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	+100：￥14.752773 +500：￥13.778631 +1000：￥13.540045 +3000：￥13.244735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF8N80C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	+295：￥10.115619 +1471：￥9.917311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF8N80C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF8N80C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.569985 +1000：￥6.186811 +3000：￥5.913033 +5000：￥5.748766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	+10：￥21.994113 +100：￥17.683395	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF8N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.55 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 59W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF8N80C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF8N80C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥7.604207 +20：￥7.299983 +80：￥6.995875 +1000：￥6.813318 +3000：￥6.569985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数