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FDD5810
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"场效应晶体管"

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¥8.195453

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¥3.179836

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¥3.070563

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¥3.004999

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDD5810_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDD5810
授权代理品牌
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¥6.490798

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¥2.425854

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¥2.382145

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Ta),37A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 72W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDD5810_未分类
FDD5810
授权代理品牌

FDD5810 BYCHIP/百域芯

未分类

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¥1.479445

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¥1.36565

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¥1.251856

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¥1.138061

库存: 1000 +

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FDD5810
授权代理品牌

FDD5810 VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥2.066824

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¥2.013804

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自营 国内现货
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FDD5810_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Ta),37A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 72W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDD5810_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥2.880336

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¥2.618526

+1000:

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-PAK (TO-252)

FDD5810_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Ta),37A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 72W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-PAK (TO-252)

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授权代理品牌
+58:

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+100:

¥2.618526

+1000:

¥2.618526

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-PAK (TO-252)

Mouser
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FDD5810_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDD5810
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Ta),37A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 72W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDD5810参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Ta),37A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 72W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)