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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥11.703106 +10：￥11.440852 +30：￥11.276943 +100：￥11.102106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP060AN08A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDP060AN08A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥4.856468 +1000：￥4.467969 +3000：￥4.273604 +5000：￥4.079471	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.587226 +50：￥13.13428 +100：￥11.258288 +500：￥10.007471 +1000：￥8.568938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.57675 +50：￥32.129928 +100：￥27.540755 +500：￥24.480926 +1000：￥20.961893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP060AN08A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥46.385321 +10：￥44.26205 +50：￥36.748935 +100：￥31.52242 +250：￥31.195762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP060AN08A0 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥19.612272 +1000：￥17.237693 +2500：￥16.257707 +5000：￥15.981302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP060AN08A0参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5150 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	255W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）