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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4480 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： +30V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1686 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4480 授权代理品牌	FDS4480 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.426657 +1000：￥1.35581 +1500：￥1.2867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4480 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.338336 +5000：￥3.171425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： +30V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1686 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS4480 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.166453 +5000：￥7.758145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： +30V，-20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1686 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDS4480 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.267853 +10：￥17.213562 +100：￥13.416661 +500：￥11.082982 +1000：￥8.749873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
FDS4480 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.569878 +10：￥6.423281 +30：￥6.026985 +100：￥5.647202 +500：￥5.465568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4480 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥17.966145 +10：￥14.601577 +100：￥11.400337 +500：￥9.799716 +1000：￥7.98677	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOIC-8 系列： FDS4480 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 40 V Id-连续漏极电流： 10.8 A Rds On-漏源导通电阻： 12 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 5 V Qg-栅极电荷： 29 nC Pd-功率耗散： 2.5 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 15 ns 正向跨导 - 最小值： 36 S 高度： 1.75 mm 长度： 4.9 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 9 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 30 ns 典型接通延迟时间： 12 ns 宽度： 3.9 mm 零件号别名： FDS4480_NL 单位重量： 130 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4480 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥7.925679 +5000：￥7.488775 +10000：￥7.398823 +15000：￥7.324579 +20000：￥7.251761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS4480参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 10.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	41 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+30V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1686 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）