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FQPF70N10_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQPF70N10
ON(安森美)
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￥42.179027

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国内：1~2 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-220F

自营 现货库存
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FQPF70N10
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 100V 35A TO220F

未分类
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-220F

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FQPF70N10
VBsemi(台湾微碧)
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N-Channel 20V,-20V 90000mA TO-220 -55°C~175°C 56W 100V

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未分类
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FQPF70N10
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 100V 35A TO220F

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FQPF70N10_未分类
FQPF70N10
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 100V 35A TO220F

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未分类
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国内：1~2 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-220F

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FQPF70N10_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQPF70N10
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系列： QFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-220F

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FQPF70N10_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQPF70N10
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货期：7~10 天

系列： QFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装： TO-220F

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FQPF70N10
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MOSFET N-CH 100V 35A TO220F

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未分类
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￥33.970947

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￥27.968049

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￥23.056587

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FQPF70N10

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 35 A

Rds On-漏源导通电阻： 25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 110 nC

Pd-功率耗散： 62 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 160 ns

正向跨导 - 最小值： 38 S

高度： 16.07 mm

长度： 10.36 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 470 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 130 ns

典型接通延迟时间： 30 ns

宽度： 4.9 mm

零件号别名： FQPF70N10_NL

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿
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FQPF70N10_未分类
FQPF70N10
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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未分类
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￥13.954267

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￥13.86399

库存： 0

货期：7~10 天

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FQPF70N10参数规格

属性 参数值
系列: QFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装: TO-220F