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自营现货库存

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	FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥15.81176 +200：￥6.119271 +500：￥5.911653 +1000：￥5.80238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.530336 +100：￥10.438768 +500：￥10.3472 +1000：￥10.164063 +36000：￥8.698973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.438768 +100：￥10.3472 +500：￥10.255631 +1000：￥10.072496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.852 +200：￥4.97475 +500：￥4.79925 +1000：￥4.71825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.439397 +200：￥12.169557 +500：￥11.740237 +1000：￥11.54209	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册未分类	+3000：￥12.112446 +6000：￥11.657101 +9000：￥11.271192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.8mOhm @ 21A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 120µA Supplier Device Package： 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2150 pF @ 40 V
FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥26.860665 +10：￥22.317213 +100：￥17.759474 +500：￥15.026542 +1000：￥12.749959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.8mOhm @ 21A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 120µA Supplier Device Package： 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2150 pF @ 40 V
FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥26.860665 +10：￥22.317213 +100：￥17.759474 +500：￥15.026542 +1000：￥12.749959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.8mOhm @ 21A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 120µA Supplier Device Package： 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2150 pF @ 40 V

Mouser

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	FDMC008N08C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥30.705777 +10：￥25.642589 +100：￥20.416074 +250：￥18.782788 +500：￥17.149502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

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	FDMC008N08C ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥19.394104 +6000：￥19.199118 +9000：￥19.007251 +12000：￥18.816944 +15000：￥18.629758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC008N08C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.8 毫欧 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2150 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	57W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（3.3x3.3），Power33
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）