品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 590µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1920 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 181W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

封装/外壳： 4-PowerTSFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 590µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1920 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 181W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

封装/外壳： 4-PowerTSFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 590µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1920 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 181W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

封装/外壳： 4-PowerTSFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： PQFN-4

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650 V

Id-连续漏极电流： 24 A

Rds On-漏源导通电阻： 125 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 49 nC

Pd-功率耗散： 181 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 5.8 ns

正向跨导 - 最小值： 16 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 22 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 60 ns

典型接通延迟时间： 22 ns

单位重量： 156.066 mg

温度： - 55 C~+ 150 C