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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF65N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 40A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥15.113687 +10：￥13.149643 +50：￥11.920803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF65N06 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF65N06 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.315748 +1000：￥3.20139 +3000：￥3.087137 +8000：￥3.001342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQPF65N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 40A TO220F 下载数据手册未分类	+25：￥17.746966 +100：￥15.860413 +500：￥14.160325 +1000：￥11.971003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQPF65N06 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQPF65N06 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.972332 +150：￥1.937972 +250：￥1.886537 +12300：￥1.800848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF65N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 40A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF65N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 40A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF65N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 40A TO220F 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

FQPF65N06参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2410 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	56W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）