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自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +62： ￥0.600345 +100： ￥0.480263 +200： ￥0.400208 +50： ￥0.74709 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +62： ￥1.468603 +100： ￥1.17485 +200： ￥0.979013 +50： ￥1.82758 |
FDR838P参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17 毫欧 8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 45 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3300 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.8W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SuperSOT™-8 |
| 封装/外壳: | 8-LSOP（0.130，3.30mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |